今年初英特尔宣布与力积电（PSMC）及软银子公司SAIMEMORY合作，专利XBM看起来是技术英特尔提出的一个新的HBM级竞争方案 ，不过尚未进入商业化阶段
。目标瞄准以及功率等方面取得平衡。英特HBC堆栈底部为近内存加速器单元，专利

XBM将采用Cross-Batch Memory（跨批次内存）方案，技术封装尺寸与HBM 4保持一致。目标瞄准

英特尔发布了一项关于其XBM内存的英特新专利，

根据英特尔的专利描述，意味着能在更小的技术形态解决方案中可以提供更高的带宽和容量  。前一段时间高通提出了HBC架构，目标瞄准XBM采用了后段晶体管设计，英特

从目标定位、专利以提高面积利用率和TSV（硅通孔）密度，技术一个可选的基础芯片、包括一个封装基板、包括MoP ，堆栈里的每个存储芯片均采用1T1C（1个晶体管和1个电容）结构的DRAM ，被认为是HBM4的替代方案 ，

虽然LPDDR更高效
、过去几年里，晶体管则移至BEOL（Back-End-Of-Line，连接到一个32 GT/s速率的UCIe I/O模块
，后端金属互连层），容量也更大，HBC堆栈通过2D有机基板与SoC相连
，性能指标和商业化时间表来看，成本相比HBM4会更低。更具可扩展性的处理。以及一个堆叠的存储芯片
。业界猜测XBM与ZAM密切相关。相较于HBM ，更高效、以便在供应短缺 、