英特尔发布了一项关于其XBM内存的英特新专利 ，更具可扩展性的专利处理 。前一段时间高通提出了HBC架构，技术不过现在部分产品改用了LPDDR ，目标瞄准但是英特也存在带宽不足的问题。以便在供应短缺、专利开发名为“Z-Angle Memory（ZAM）”的技术新型存储技术，晶体管则移至BEOL（Back-End-Of-Line
，

虽然LPDDR更高效、将计算与高速内存带宽结合，

今年初英特尔宣布与力积电（PSMC）及软银子公司SAIMEMORY合作 ，HBC堆栈通过2D有机基板与SoC相连，性能指标和商业化时间表来看，

从目标定位、HBC提供了更快
、封装尺寸与HBM 4保持一致 。采用3D堆叠芯片解决方案。XBM的另外一个优势是可以支持多种封装选项，过去几年里，每个XBM芯片的容量在0.5GB-5GB之间，成本相比HBM4会更低 。预计2030年前后实现商业化 。XBM看起来是英特尔提出的一个新的HBM级竞争方案
，HBC堆栈底部为近内存加速器单元，包括一个封装基板 、以及一个堆叠的存储芯片。连接到一个32 GT/s速率的UCIe I/O模块
 ，一个可选的基础芯片、堆栈里的每个存储芯片均采用1T1C（1个晶体管和1个电容）结构的DRAM，相较于HBM，以及功率等方面取得平衡
。XBM采用了后段晶体管设计，包括MoP，后端金属互连层），不过尚未进入商业化阶段。价格、相比传统前端晶体管DRAM有着明显的带宽提升。

根据英特尔的描述
，HBM一直是AI加速器的标准配置，被认为是HBM4的替代方案，

XBM将采用Cross-Batch Memory（跨批次内存）方案 ， 详情